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基础设施充电器采用碳化硅G2R1000MT17D
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基础设施充电器采用碳化硅G2R1000MT17D

产品标签  | 1700V电源 1700V碳化硅 碳化硅 大功率电源 Navitas纳微一级代理

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基础设施充电器采用碳化硅G2R1000MT17D

?兼容商业栅极驱动器?低传导损耗在所有温度?更快，更***切换?更小的开关尖峰和***的损耗减少振铃?更好的功率密度和系统效率?易于并行，没有热失控?***的鲁棒性和系统可靠性

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      广东 深圳 宝安区 深圳市宝安区西乡街道固戍社区红湾商务中心B座B301-06
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    产品特性：碳化硅电源输入电压范围：90V-1200V最快出货时间：7天
    品牌： Navitas纳微型号：G2R1000MT17DFET类型：：N 通道
    漏源电压（Vdss）：：1700V25°C时电流-连续漏极：4A（Tc）驱动电压：20V
    Id、Vgs时导通电阻：1.2 欧姆 @ 2A，20VId时Vgs(th)：4V @ 2mA功率耗散：53W（Tc）
    工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）器件封装：：TO-247-3

    基础设施充电器采用碳化硅G2R1000MT17D详细介绍
















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