美国GeneSiC中国代理G3R20MT12N 1200 V 20 mΩ SiC MOSFET
| 产品特性：MOSFET | 适用产品：电源 | 输入电压范围：1200 |
| 最快出货时间：7天 | 是否支持一件代发：支持 | 发票：支持 |
| 售后服务：支持 | 品牌：GeneSiC Semiconductor | 系列：G3R |
| 型号：G3R20MT12N | 封装 / 箱体:：SOT-227 | 晶体管极性:：N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压:：1.2 kV | Id-连续漏极电流:：93 A | Rds On漏源导通电阻：20 mOhms |
| Vgs 栅极源极电压：- 5 V, + 15 V | 栅源极阈值电压：2.7 V | Qg-栅极电荷:：180 nC |
| 工作温度:：- 55 + 175 C | Pd-功率耗散:：338 W |
